Dwarf Hackberry

O hackberry anão é altamente tolerante à seca, uma vez estabelecido, exigindo apenas rega profunda ocasional durante longos períodos de calor extremo ou seca. Os espécimes recém-plantados precisam de umidade regular e consistente durante as primeiras 1-2 estações de cultivo para desenvolver um sistema radicular forte, mas regar em excesso ou plantar em solo encharcado causará apodrecimento das raízes. Evite regas rasas frequentes, pois isso estimula o crescimento fraco das raízes ao nível da superfície, o que reduz a robustez da planta a longo prazo.

Esta espécie cresce melhor em pleno sol, recebendo pelo menos 6 horas de luz solar direta e não filtrada diariamente, o que suporta um crescimento robusto, grande produção de frutos silvestres e uma copa densa e bem formada. Pode tolerar sombra parcial, embora o crescimento possa tornar-se mais alongado e a produção de frutos silvestres seja significativamente reduzida em condições de pouca luz. O sol pleno também ajuda a minimizar o risco de doenças fúngicas foliares que podem ocorrer em locais úmidos e sombreados.

Dwarf hackberry se adapta a uma variedade notavelmente ampla de tipos de solo, incluindo solos arenosos, rochosos, argilosos e argilosos, e prospera em níveis de pH neutros e ligeiramente alcalinos. Prefere solo bem drenado, mas pode tolerar a seca periódica e a baixa disponibilidade de nutrientes muito melhor do que a maioria das árvores e arbustos ornamentais. Não sobreviverá em solos consistentemente saturados e mal drenados, por isso evite plantar em áreas baixas que acumulam água parada.

Esta espécie de baixa manutenção raramente requer fertilização suplementar, pois está adaptada para prosperar em solos com poucos nutrientes. Se o crescimento for excepcionalmente atrofiado ou a folhagem parecer pálida, aplique um fertilizante 10-10-10 balanceado e de liberação lenta uma vez no início da primavera, antes que surja o crescimento de novas folhas, tomando cuidado para não fertilizar em excesso, o que pode levar a um crescimento fraco excessivo e à redução da tolerância à seca. A cobertura morta orgânica aplicada anualmente ao redor da zona radicular fornecerá nutrientes suficientes para a maioria das plantas à medida que se decompõe.

O hackberry anão é excepcionalmente resistente ao frio, tolerando temperaturas de inverno tão baixas quanto -30 ° F (-34 ° C), correspondendo às zonas de robustez 4 a 9. do USDA. Ele também tolera o alto calor e a umidade do verão comuns em sua área nativa, sem efeitos adversos quando cultivado em pleno sol e solo bem drenado. As plantas jovens podem se beneficiar de uma leve camada de cobertura morta de inverno ao redor da zona radicular nas partes mais frias de sua área de distribuição para proteger as raízes superficiais dos ciclos de congelamento e descongelamento.

Podar a amora anã no final do inverno, enquanto a planta está dormente, removendo quaisquer galhos mortos, danificados ou cruzados para melhorar a circulação de ar e manter a forma desejada. Esta espécie cresce naturalmente com uma forma arredondada e espessa, portanto, é necessária uma poda mínima, a menos que você a esteja treinando para uma forma de pequena árvore de tronco único. Evite podas pesadas na primavera e no verão, pois isso pode remover os botões florais em desenvolvimento e reduzir a colheita de frutos silvestres do ano.

O hackberry anão é mais comumente propagado a partir de sementes, o que requer 2-3 meses de estratificação a frio a 33-40°F (0-4°C) para quebrar a dormência antes da semeadura na primavera. Também pode ser propagado a partir de estacas semilenhosas colhidas em meados ao final do verão, tratadas com hormônio de enraizamento e mantidas em meio de cultivo sempre úmido e bem drenado até que as raízes se desenvolvam. Os rebentos que crescem a partir do sistema radicular de plantas estabelecidas podem ser desenterrados e transplantados no início da primavera, antes do início do novo crescimento, para facilitar a propagação vegetativa.

Esta espécie se adapta bem a uma ampla gama de níveis de umidade, prosperando tanto nos climas continentais secos do centro dos EUA quanto nas condições subtropicais úmidas do sudeste dos EUA. Não tem requisitos específicos de umidade, embora a boa circulação de ar ao redor da folhagem ajude a prevenir pequenas manchas fúngicas nas folhas em áreas com alta umidade no verão. As plantas maduras não são afetadas por curtos períodos de baixa umidade ou estresse hídrico.

Dwarf hackberry raramente é cultivado em recipientes a longo prazo, pois desenvolve um sistema radicular extenso e profundo que requer amplo espaço para crescer. Se cultivado em um vaso durante os primeiros 1-2 anos antes de transplantar para a paisagem, replante anualmente no início da primavera antes que surja um novo crescimento, usando uma mistura de envasamento bem drenada e um recipiente pelo menos 5 centímetros maior em diâmetro do que o vaso anterior. Uma vez plantada na paisagem, não deve ser desenterrada e replantada, pois isso pode danificar o sistema radicular profundo e matar a planta.