False Spiraea

新しく植えた偽スピラエアに定期的に水を与えて、最初の成長期に土壌を均一に湿らせ、深い根系を確立するのを助けます。一度根付くと、乾燥耐性が非常に高く、高温で乾燥した期間が長く続いても、葉焼けを防ぐために時折水やりをするだけで済みます。根腐れを引き起こす可能性があるため、水のやりすぎや水浸しの場所への植え付けは避けてください。

偽シモツケは太陽の下で生育し、最も豊富な開花と最も密な葉の成長を促進します。また、部分的な日陰にも耐えますが、低光の条件下では花の生産が減少し、低木がより開いて脚が伸びる習性が発達する可能性があります。最高のパフォーマンスを得るには、毎日少なくとも 6 時間は直射日光が当たる場所に植えてください。

この適応性のある低木は、その場所に適度な排水がある限り、砂質、ローム質、粘土質の土壌を含む幅広い種類の土壌でよく育ちます。弱酸性から弱アルカリ性の pH レベルに耐性があり、他の多くの低木が苦しむ痩せた栄養不足の土壌でも良好に機能します。植え付け時に重粘土質の土壌を有機物で改良すると、排水が改善され、より早く根付くことができます。

偽スピラエアは低栄養土壌でも生育するため、定期的な施肥を必要としません。成長が特に遅い場合、または葉が青白く見える場合は、新しい成長が現れる前の春先に、バランスの取れた緩効性の 10-10-10 肥料を施用します。過度の施肥は吸盤が過剰で弱くなり、開花が低下する可能性があるため避けてください。

非常に耐寒性があり、農務省のゾーン 2 ～ 8 で生育し、-50°F (-46°C) もの冬の気温にも損傷なく耐えます。穏やかな気候であれば夏の暑さにもよく適応しますが、90°F (32°C) を超える熱波が続いている間は、時折余分な水やりをすると効果があるかもしれません。春の終わりの霜は柔らかい新芽にダメージを与える可能性がありますが、低木は気温が暖かくなるとすぐに新しい葉を再生します。

新しい成長がその形を維持し始める前の冬の終わりまたは春の初めに、偽スピラエアを剪定し、枯れた枝、損傷した枝、交差する枝を取り除きます。攻撃的な吸盤習性を制御するには、特に他の園芸植物の近くに植えられている場合は、不要な根吸盤が現れたら毎年掘り起こして取り除きます。よりコンパクトな習慣にするには、2、3 年ごとに低木全体を地面から 6 インチ以内に切り戻すと、青々と茂った新しい成長が促進されます。

最も簡単な繁殖方法は、新しい成長が現れる前の春先に根の吸盤を分割することです。根の生えた小さな吸盤を掘り起こし、目的の場所に植え直すだけです。また、初夏に採取した針葉樹の挿し木を発根ホルモンに浸し、湿った水はけの良い鉢植えに植えて、4～6週間で根が形成されるまで繁殖させることもできます。種子からの生育も可能ですが、種子は発芽前に3か月の低温成層が必要であり、種子から生長した植物は親の正確な特徴を保持していない可能性があるため、あまり一般的ではありません。

ニセシモツケは、広範囲の湿度レベルによく適応し、北部地域の乾燥した夏の空気と温帯の適度な湿度の両方で繁栄します。特別な湿度要件はありませんが、非常に乾燥した熱風と十分な太陽の組み合わせにより、葉の先端がわずかに褐変する可能性がありますが、時折深い水やりで改善できます。亜熱帯地域によく見られる一貫した高温多湿の条件には耐えられず、葉の真菌性病気のリスクが高まる可能性があります。

偽スピラエアは、その攻撃的な吸盤と大きな根系が広がるのに十分なスペースを必要とするため、コンテナで栽培されることはほとんどありません。大きなプランターで栽培している場合は、2〜3年ごとに早春に植え替え、以前のものより少なくとも2インチ大きい容器に移動し、排水のためにパーライトを加えた汎用の鉢植えミックスを使用します。植え替えるときは、伸びすぎた根を切り落とし、余分な吸盤を取り除き、植物を鉢のサイズに収めるようにします。