Dwarf Hackberry

ドワーフエノキは一度根付くと干ばつ耐性が非常に高く、極度の暑さや干ばつが長期間続いた場合でも、時折深い水やりを必要とするだけです。新しく植えた標本は、強い根系を発達させるために最初の 1 ～ 2 生育期に定期的で一貫した水分を必要としますが、水をやりすぎたり、浸水した土壌に植えたりすると根腐れを引き起こします。浅い水やりを頻繁に行うと、表面レベルの弱い根の成長が促進され、植物の長期的な耐寒性が低下するため、避けてください。

この種は、完全な太陽の下で最もよく成長し、ろ過されていない直射日光を毎日少なくとも 6 時間浴びます。これにより、堅固な成長、大量の果実の生産、および密集した形の良い樹冠がサポートされます。部分的な日陰にも耐えることができますが、低照度条件では成長がより長くなり、ベリーの収量が大幅に減少する可能性があります。十分な日光は、湿った日陰の場所で発生する可能性のある葉の真菌性疾患のリスクを最小限に抑えるのにも役立ちます。

ドワーフエノキは、砂質、岩質、ローム質、粘土質の土壌など、非常に幅広い種類の土壌に適応し、中性と弱アルカリ性の両方の pH レベルで生育します。水はけの良い土壌を好みますが、定期的な乾燥や栄養分の不足にもほとんどの観賞用の木や低木よりもはるかによく耐えます。常に飽和した水はけの悪い土壌では生き残れないため、水が溜まる低地に植えるのは避けてください。

この種は、低栄養土壌でも生育するように適応しているため、メンテナンスの手間がほとんどかかりません。成長が著しく阻害されている場合、または葉が青白く見える場合は、新葉の成長が現れる前に春先に、バランスの取れた緩効性の 10-10-10 肥料を 1 回施用します。肥料の与えすぎは、成長が過度に弱くなり、乾燥耐性が低下する可能性があります。根域の周囲に毎年適用される有機マルチは、分解されるにつれてほとんどの植物に十分な栄養素を提供します。

ドワーフエノキは非常に耐寒性があり、農務省耐寒性ゾーン 4 ～ 9 に相当する -30°F (-34°C) の冬季温度にも耐えます。また、自生地に共通する夏の高温や多湿にも耐え、十分な太陽と水はけの良い土壌で栽培すれば悪影響はありません。若い植物は、浅い根を凍結融解サイクルから保護するために、その範囲の最も寒い部分の根域の周りに冬用マルチを薄く敷くと恩恵を受ける可能性があります。

冬の終わりに植物が休眠している間に矮性エノキを剪定し、枯れた枝、損傷した枝、または交差する枝を取り除き、空気の循環を改善し、望ましい形状を維持します。この種は自然に丸みを帯びたふさふさした樹形で成長するため、単幹の小さな樹形に訓練しない限り、最小限の剪定は必要ありません。春と夏に強い剪定を行うと、発育中の花芽が取り除かれ、その年のベリーの収穫量が減少する可能性があるため、避けてください。

矮性エノキは種子から繁殖するのが最も一般的ですが、春に播種する前に休眠を破るために33〜40°F（0〜4°C）で2〜3か月の低温成層が必要です。また、夏の半ばから晩夏に採取した半広葉樹の挿し木から繁殖することもでき、発根ホルモンで処理し、根が発達するまで一貫して湿った水はけの良い成長用培地に保管します。確立された植物の根系から成長する吸盤は、栄養繁殖を容易にするために、新しい成長が始まる前の春先に掘り起こして移植できます。

この種は、幅広い湿度レベルによく適応し、米国中央部の乾燥した大陸性気候と米国南東部の湿気の多い亜熱帯気候の両方で生育します。特定の湿度要件はありませんが、葉の周りの空気循環が良好であると、夏の湿度が高い地域での小さな真菌による葉の斑点を防ぐのに役立ちます。成熟した植物は、短期間の低湿度や乾燥ストレスの影響を受けません。

ドワーフエノキは、成長するのに十分なスペースを必要とする深く広大な根系を発達させるため、コンテナで長期間栽培することはほとんどありません。風景に移植する前に最初の1〜2年間鉢で育てた場合は、毎年早春に、新しい成長が現れる前に、水はけの良い鉢植えの混合物と前の鉢より直径が少なくとも2インチ大きい容器を使用して植え替えます。一度景観に植えた場合は、深い根系に損傷を与え、植物が枯れる可能性があるため、掘り起こしたり植え替えたりしないでください。